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| Numero de parte | CSD85301Q2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 469pF @ 10V |
| Potencia - Max | 2.3W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-WDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-WSON (2x2) |
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
En stock: 3500
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
En stock: 1
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
En stock: 7500
