Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array CSD85301Q2

Texas Instruments CSD85301Q2

Numero di parte
CSD85301Q2
fabbricante
Texas Instruments
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Texas Instruments

Texas Instruments

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteCSD85301Q2
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds469pF @ 10V
Potenza - Max2.3W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WSON (2x2)
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