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| Artikelnummer | CSD85301Q2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 469pF @ 10V |
| Leistung max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (2x2) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 3500
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Auf Lager: 7500
