| Artikelnummer | CSD85302LT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-XFLGA |
| Lieferantengerätepaket | 4-Picostar (1.31x1.31) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
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