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| Numero de parte | CSD86311W1723 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 2A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 12-UFBGA, DSBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 12-DSBGA |
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
En stock: 1
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
En stock: 7500
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D
En stock: 2
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
En stock: 0
