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| Numéro d'article | CSD86311W1723 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 2A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
| Puissance - Max | 1.5W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 12-UFBGA, DSBGA |
| Package de périphérique fournisseur | 12-DSBGA |
Fabricant: Texas Instruments
La description: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
En stock: 0
Fabricant: Texas Instruments
La description: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
En stock: 1
Fabricant: Texas Instruments
La description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
En stock: 7500
Fabricant: Texas Instruments
La description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
En stock: 0
Fabricant: Texas Instruments
La description: EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D
En stock: 2
Fabricant: Texas Instruments
La description: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
En stock: 0
