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| Numero de parte | APT10SCD120B |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 36A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30
