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Numero de parte | MBR20020CT |
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Estado de la pieza | Active |
Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 650mV @ 100A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura de funcionamiento - unión | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | Twin Tower |
Paquete de dispositivo del proveedor | Twin Tower |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
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