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| Numero de parte | MBR200100CTS |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 2 Independent |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 100A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 80V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Screw Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
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