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| Artikelnummer | STU25N10F7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 2A IPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
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