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| Artikelnummer | STU2NK100Z |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.85A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 499pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 70W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 900mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 2A IPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
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