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| Numero di parte | STU25N10F7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N CH 600V 2A IPAK
Disponibile: 2743
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
Disponibile: 2905
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Disponibile: 0
