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| Artikelnummer | APT97N65LC6 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 97A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7650pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 862W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 48.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264
Auf Lager: 17
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Auf Lager: 358
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX
Auf Lager: 60
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
Auf Lager: 0
