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| Numéro d'article | APT97N65LC6 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 97A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7650pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 862W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 48.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-264 [L] |
| Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE MODULE 1.6V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 600V 94A TO264
En stock: 17
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
En stock: 358
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 208A 892W T-MAX
En stock: 60
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
En stock: 0
