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| Artikelnummer | APT90DR160HJ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 90A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264
Auf Lager: 17
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Auf Lager: 358
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX
Auf Lager: 60
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
Auf Lager: 0
