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| Numero de parte | APT90DR160HJ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Single Phase |
| Tecnología | Standard |
| Voltaje - Pico Inverso (Máx) | 1600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | - |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 90A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE MODULE 1.6V SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 94A TO264
En stock: 17
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
En stock: 358
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 650V 208A 892W T-MAX
En stock: 60
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
En stock: 0
