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| Artikelnummer | APT94N65B2C3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 94A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.8mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 580nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13940pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 833W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 47A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264
Auf Lager: 17
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Auf Lager: 358
