Artikelnummer | APT50GF120JRDQ3 |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 120A |
Leistung max | 521W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 750µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.32nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | ISOTOP |
Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V T-MAX
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