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| Artikelnummer | APT5014B2VRG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Auf Lager: 32
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Auf Lager: 49
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
Auf Lager: 83
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
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