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| Numero de parte | APT50GF120JRDQ3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
| Potencia - Max | 521W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 750µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 5.32nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | ISOTOP |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
En stock: 63
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
En stock: 23
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 49
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 83
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 69
