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| Artikelnummer | APT34N80B2C3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 355nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4510pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 417W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 22A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Auf Lager: 1
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
Auf Lager: 59
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Auf Lager: 38
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Auf Lager: 0
