Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln APT34M120J

Microsemi Corporation APT34M120J

Artikelnummer
APT34M120J
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • 10 pcs

    26.03050/pcs

  • 25 pcs

    24.40360/pcs

  • 100 pcs

    23.26465/pcs
Gesamt:27.65500/pcsUnit Price:
27.65500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT34M120J
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C34A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs560nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds18200pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)960W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
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