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| Artikelnummer | APT34F100L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9835pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1135W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 18A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
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