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| Artikelnummer | IRLU024ZPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.9nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 35W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
Auf Lager: 4679
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Auf Lager: 5570
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
Auf Lager: 5839
