Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated DMN3016LFDF-7

Artikelnummer
DMN3016LFDF-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerDMN3016LFDF-7
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs25.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1415pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)2.02W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketU-DFN2020-6
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
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