Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln C2M0280120D

Cree/Wolfspeed C2M0280120D

Artikelnummer
C2M0280120D
Hersteller
Cree/Wolfspeed
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Cree Inc

Cree Inc

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerC2M0280120D
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs20.4nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds259pF @ 1000V
Vgs (Max)+25V, -10V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)62.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs370 mOhm @ 6A, 20V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3
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