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| Numero di parte | C2M0280120D |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 1000V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370 mOhm @ 6A, 20V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Disponibile: 1928
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
Disponibile: 484
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Disponibile: 2286
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Disponibile: 2357
