| Artikelnummer | C2M0045170D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 72A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 18mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 188nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3672pF @ 1kV |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 520W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 50A, 20V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
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Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
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Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
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Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
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Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
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Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
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