Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln C2M0160120D

Cree/Wolfspeed C2M0160120D

Artikelnummer
C2M0160120D
Hersteller
Cree/Wolfspeed
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Cree Inc

Cree Inc

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerC2M0160120D
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs32.6nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds527pF @ 800V
Vgs (Max)+25V, -10V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs196 mOhm @ 10A, 20V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3
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