Numéro d'article | APT50GT120B2RDLG |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 106A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 694W |
Échange d'énergie | 3585µJ (on), 1910µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 240nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 23ns/215ns |
Condition de test | 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 135A 781W TMAX
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 120A 521W SOT227
En stock: 4
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 135A 781W TO264
En stock: 95
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 75A 277W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 75A 277W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 134A 543W TO-247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 134A 543W TO264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 107A 366W TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 107A 366W TO247
En stock: 0