Numéro d'article | APT50GF120B2RG |
---|---|
État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 135A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 781W |
Échange d'énergie | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 340nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 25ns/260ns |
Condition de test | 800V, 50A, 1 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
En stock: 63
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
En stock: 23
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 49
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 2
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 83
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 69
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V T-MAX
En stock: 0