provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | APT50GT120B2RDLG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 106A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Potencia - Max | 694W |
| Conmutación de energía | 3585µJ (on), 1910µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 240nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 23ns/215ns |
| Condición de prueba | 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 135A 781W TMAX
En stock: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 120A 521W SOT227
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 135A 781W TO264
En stock: 95
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 75A 277W SOT227
En stock: 10
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 75A 277W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 134A 543W TO-247
En stock: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 134A 543W TO264
En stock: 71
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 107A 366W TO247
En stock: 114
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 107A 366W TO247
En stock: 0
