Numéro d'article | APT50GF120JRDQ3 |
---|---|
État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120A |
Puissance - Max | 521W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 750µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 5.32nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | ISOTOP |
Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
En stock: 63
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
En stock: 23
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 49
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 2
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 83
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 69
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V T-MAX
En stock: 0