Artikelnummer | APT24M120L |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8370pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1040W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 680 mOhm @ 12A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247
Auf Lager: 60
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 287
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Kingbright
Beschreibung: LED GREEN CLEAR 0805 SMD
Auf Lager: 260000
Hersteller: Kingbright
Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805
Auf Lager: 6000
Hersteller: Kingbright
Beschreibung: LED RED CLEAR 0805 SMD
Auf Lager: 6000