Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT200GN60J

Microsemi Corporation APT200GN60J

Artikelnummer
APT200GN60J
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

Auf Lager $ Stück Stück
  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    17.08500/pcs
  • 10 pcs

    15.80350/pcs
  • 25 pcs

    14.52220/pcs
  • 100 pcs

    13.49715/pcs
  • 250 pcs

    12.38662/pcs
Gesamt:17.08500/pcs Unit Price:
17.08500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT200GN60J
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 283A
Leistung max 682W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
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