Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT200GT60JR

Microsemi Corporation APT200GT60JR

Artikelnummer
APT200GT60JR
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 195A ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT200GT60JR
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 195A
Leistung max 500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.65nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227
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