Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT200GN60JDQ4G

Microsemi Corporation APT200GN60JDQ4G

Artikelnummer
APT200GN60JDQ4G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer APT200GN60JDQ4G
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 283A
Leistung max 682W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
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