Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT200GN60J

Microsemi Corporation APT200GN60J

Numero di parte
APT200GN60J
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 717 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    17.08500/pcs

  • 10 pcs

    15.80350/pcs

  • 25 pcs

    14.52220/pcs

  • 100 pcs

    13.49715/pcs

  • 250 pcs

    12.38662/pcs
Totale:17.08500/pcs Unit Price:
17.08500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT200GN60J
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 283A
Potenza - Max 682W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 25µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 14.1nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso ISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
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