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| Número da peça | TPH5200FNH,L1Q |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 250V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 13A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOP Advance (5x5) |
| Pacote / Caso | 8-PowerVDFN |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
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