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Número da peça | SSM6N43FU,LF |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
Power - Max | 200mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | US6 |
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Em estoque: 250
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Em estoque: 9000
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Em estoque: 35000
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP
Em estoque: 3
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Em estoque: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Em estoque: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Em estoque: 12000