Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SSM6J212FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF

Número da peça
SSM6J212FE,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SSM6J212FE,LF
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.1nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
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