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| Número da peça | SSM6J212FE,LF |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
| Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Em estoque: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Em estoque: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Em estoque: 12000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Em estoque: 9000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Em estoque: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Em estoque: 0
