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Numero di parte | SSM6N43FU,LF |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
Potenza - Max | 200mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Disponibile: 250
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Disponibile: 9000
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Disponibile: 35000
fabbricante: Analog Devices Inc.
Descrizione: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP
Disponibile: 3
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Disponibile: 4000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Disponibile: 4000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Disponibile: 12000