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| Número da peça | STH12N120K5-2 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | H2Pak-2 |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
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