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| Numero de parte | STH12N120K5-2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H2Pak-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
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