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| Número da peça | APT40SM120S |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | D3Pak |
| Pacote / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Em estoque: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Em estoque: 2905
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Em estoque: 355
