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| Artikelnummer | APT40SM120S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 273W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D3Pak |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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