provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT40SM120S |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 1200V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajan laitepaketti | D3Pak |
| Pakkaus / kotelo | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Varastossa: 5
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Varastossa: 2905
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Varastossa: 355
