Número da peça | APT10SCD65KCT |
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Status da Parte | Active |
Configuração do diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 650V |
Corrente - Média Rectificada (Io) (por Diodo) | 17A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 200µA @ 650V |
Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-220-3 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Em estoque: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Em estoque: 30