Numero de parte | APT10SCD65KCT |
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Estado de la pieza | Active |
Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 17A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 650V |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-220-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30