Infineon Technologies BSC014N03MS G

Número da peça: BSC014N03MS G
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Número da peça	BSC014N03MS G
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	30A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8
Pacote / Caso	8-PowerTDFN